SK hynix создает 400-слойную NAND-память для увеличения плотности хранения данных

В условиях обостряющейся конкуренции на рынке HBM, SK hynix стремится укрепить свои позиции и в сегменте NAND-памяти. Компания анонсировала разработку 400-слойной флеш-памяти NAND, которая позволит увеличить плотность хранения данных и повысить производительность. 

Согласно информации от TrendForce, SK hynix уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования для внедрения гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W), которая позволит создавать NAND-память с более чем 400 слоями. Ожидается, что технология будет запущена в массовое производство к концу 2025 года.

Ранее компания применяла метод Peripheral Under Cell (PUC), но с увеличением числа слоев возникли проблемы с повреждением периферийных схем. Новый метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно устранить эти проблемы и обеспечить беспрепятственное увеличение числа слоёв. 

Увеличение числа слоёв NAND-памяти, как ожидается, повысит её производительность и энергоэффективность, что благоприятно скажется на характеристиках устройств, использующих эту технологию.

Раннее ITinfo сообщало, что Nvidia столкнулась с проблемами при производстве новых ИИ-чипов Blackwell.