Samsung разработала 12-стековую память на 36 ГБ для ускорения ИИ

Samsung рассказала о разработке чипа высокопропускной памяти (HBM) стандарта HBM3E с рекордным объёмом памяти  — 36 ГБ на стек.

HBM — это тип компьютерной памяти, в которой, как утверждается, используется многослойная компоновка со слоями микросхем, накладываемых на интегральные схемы устройства. Это позволяет уменьшить размер чипа и увеличить ширину шины, что приводит к повышению скорости передачи данных.

По мнению Samsung, такие чипы с 12-слойной компоновкой позволят увеличить скорость обработки и передачи информации в алгоритмах искусственного интеллекта на 50 процентов по сравнению с текущими стандартными 8-слойными устройствами поколения HBM3. По словам Пэ Юн Чхоля , вице-президента Samsung Electronics по планированию компьютерных продуктов и памяти, новые чипы позволят увеличить среднюю скорость обучения моделей искусственного интеллекта на 34 процента.

В этих чипах также сообщается, что расстояние между кристаллами памяти в стеке составляет менее 7 микрон. Специалистам Samsung также удалось повысить плотность упаковки чипов на 20 процентов.

«Компаниям, работающим в сфере искусственного интеллекта, все чаще требуются более производительные HBM-устройства, и новый 12-слойный чип поможет в этом», — говорит Пэ Юн Чхоль.

Ранее стало известно о том, что в 2024 году появится новый механизм борьбы с атаками через QR-код. Подробнее об этом читайте в материале IT INFO MEDIA.